MUN5213DW1T1G原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363(PB-Free)-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	256 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5213DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STU8N80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected	1:¥26.2838 10:¥22.3627 100:¥19.3682 250:¥18.3625	参考库存:39075
2SK3482-AZ	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	1:¥13.0628 10:¥11.752 25:¥10.5316 100:¥9.4468	参考库存:39080
STWA63N65DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥84.1398	参考库存:4475
TSC5302DCH C5G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode	15,000:¥1.4916 24,375:¥1.4125 48,750:¥1.3786	参考库存:39087
SI4890DY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V	2,500:¥9.831 5,000:¥9.4468 10,000:¥9.0626	参考库存:39092