HFA3134IHZ96原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3134
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	48
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	8500 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	8500 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IHW20N65R5	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5	1:¥25.199 10:¥21.357 100:¥18.5207 250:¥17.5941 500:¥15.7522	参考库存:5283
DRC2523E0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm	1:¥4.2262 10:¥3.1075 100:¥1.9549 500:¥1.5707 3,000:¥1.243 9,000:查看	参考库存:25120
IRF1010ZPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC	1:¥11.526 10:¥9.831 100:¥7.8422 500:¥6.893 1,000:¥5.7178	参考库存:4597
SSM3K344R,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V	1:¥3.9211 10:¥2.2713 100:¥1.07576 1,000:¥0.82942 3,000:¥0.68365	参考库存:27299
DTA023JEBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.2317 10:¥1.09158 100:¥0.3842 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:32226