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晶体管
DMN53D0LW-13参考图片

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DMN53D0LW-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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¥0.26894
2689.4
20,000
¥0.24634
4926.8
50,000
¥0.23052
11526
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.9 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N3637UB/TR
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10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
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2,500:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:54145

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