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晶体管
BSC109N10NS3 G参考图片

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BSC109N10NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:37,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7122
671.22
500
¥5.9212
2960.6
1,000
¥4.6782
4678.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
10.9 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:32979
晶体管
MOSFET BUK9M10-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.486
1,000:¥1.921
1,500:¥1.6385
参考库存:17601
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
1:¥6.0681
10:¥5.2432
100:¥3.6386
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:8688
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:13765
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:3527
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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