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晶体管
BSC109N10NS3 G参考图片

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BSC109N10NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:37,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7122
671.22
500
¥5.9212
2960.6
1,000
¥4.6782
4678.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
10.9 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
1:¥11.6842
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2772
参考库存:38946
晶体管
IGBT 模块
100:¥350.7746
250:¥343.3957
参考库存:38951
晶体管
MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:38956
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:38961
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥524.7381
参考库存:38966
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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