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晶体管
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IRLD024PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存：29,994(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥6.7913
67.913
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.4748
2237.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3.7 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD5C464NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SL DPAK
1:¥6.4523
10:¥5.3223
100:¥3.4352
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.3165
参考库存:20474
IRF135B203
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
参考库存:23341
SQS462EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥7.4806
100:¥5.9551
500:¥4.6669
3,000:¥3.3787
6,000:查看
参考库存:74428
SIHB22N60AEL-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥31.8095
10:¥26.3516
100:¥21.6734
250:¥20.9728
500:¥18.8258
参考库存:8930
IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.5933
参考库存:8487

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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