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晶体管
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BU931P

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Power Darlington
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库存：4,336(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
135 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
最大工作温度
+ 150 C
系列
BU931P
资格
AEC-Q101
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
600
子类别
Transistors
单位重量
4.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4065
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9099
500:¥5.2206
5,000:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:18532
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:161524
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:1691
QPD1003
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
1:¥4,702.608
参考库存:1683

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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