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晶体管
DNBT8105-7参考图片

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DNBT8105-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A
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库存:536,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DNBT8
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
1,500:¥2.1809
参考库存:11875
晶体管
MOSFET 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5425
1,000:¥2.034
4,000:¥1.7176
参考库存:53242
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,000:¥2.7233
参考库存:22604
晶体管
MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
3,000:¥3.5256
9,000:查看
参考库存:20216
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7.8A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:19853
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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