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晶体管
NGTB30N135IHR1WG参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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NGTB30N135IHR1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII
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库存:4,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.35 kV
集电极—射极饱和电压
2.6 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
394 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
1,000:¥2.5199
3,000:¥2.2939
参考库存:15077
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 120V 50MA
1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:40229
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:9636
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥65.314
10:¥59.0086
25:¥56.2514
100:¥48.8725
参考库存:3368
晶体管
达林顿晶体管 PNP Silicon Darl
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:26160
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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