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晶体管
NGTB45N60S2WG参考图片

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NGTB45N60S2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FSII 45A 600V Welding
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库存:4,865(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.1146
32.1146
10
¥27.2782
272.782
100
¥23.6622
2366.22
250
¥22.4418
5610.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:1070177
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR COMP.
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:40339
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 300mW
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:369786
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.03734
参考库存:16023
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥59.551
10:¥53.562
25:¥48.7934
100:¥44.0248
参考库存:1495
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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