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晶体管
AUIRF1010EZS参考图片

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AUIRF1010EZS

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
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库存:47,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001516450
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥7.1416
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,500:¥2.9154
9,000:查看
参考库存:94979
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7515
3,000:¥1.5029
参考库存:19981
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥41.2676
10:¥33.1203
25:¥32.5779
100:¥30.1936
参考库存:45325
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1131
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.3899
参考库存:45330
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,500:¥0.83733
10,000:¥0.78422
参考库存:54993
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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