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晶体管
IPB65R190CFDA参考图片

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IPB65R190CFDA

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库存:11,859(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.5886
2058.86
250
¥19.5151
4878.775
1,000
¥14.7578
14757.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.2 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R19CFDAXT SP000928264
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥6.8365
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.1075
参考库存:8585
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.147
参考库存:30662
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 10Vgs 15Vds -90mA
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.9102
参考库存:30667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Extremely High Voltage
1,000:¥1.6724
4,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:62447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HV 100MA 300V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:106399
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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