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晶体管
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DMG3N60SCT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7856
57.856
100
¥4.4409
444.09
500
¥3.9211
1960.55
1,000
¥3.1075
3107.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
10.6 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCPF9N60NTYDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET UniFET 500V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:8353
BSC028N06LS3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥19.21
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.4468
5,000:¥9.4468
参考库存:83940
PH3135-90S
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
1:¥2,764.093
参考库存:4587
JAN2N3507
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:4984
2N3791
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥359.5321
2:¥349.7011
5:¥340.0961
10:¥330.3329
参考库存:5071

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