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晶体管

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BSM100GB170DLC

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库存:47,868(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,252.5711
1252.5711
5
¥1,222.3662
6111.831
10
¥1,192.0144
11920.144
25
¥1,175.3469
29383.6725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
960 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB170DLCHOSA1 SP000100709
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120pF 200 Volts 50W TRANSISTOR, BIPOLAR
1:¥281.0084
5:¥264.4087
10:¥256.1823
50:¥243.0404
参考库存:1170
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
1:¥6.7574
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
1,500:¥2.7233
参考库存:23342
晶体管
IGBT 模块 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
1:¥38,695.0872
参考库存:1104
晶体管
MOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ., 52 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:13591
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V, .1A
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.41471
参考库存:11043
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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