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晶体管
BSM200GB120DLC参考图片

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BSM200GB120DLC

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库存:49,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,372.3624
1372.3624
5
¥1,339.3212
6696.606
10
¥1,306.054
13060.54
25
¥1,287.7593
32193.9825
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
420 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1550 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB120DLCHOSA1 SP000100715
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥14.0572
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,000:¥6.102
4,000:查看
参考库存:16546
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥27.5833
10:¥22.2045
100:¥20.2044
250:¥18.2834
参考库存:3003
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥8.2264
10:¥6.5992
100:¥5.7743
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
参考库存:24985
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.2206
1,000:¥4.1132
2,500:¥4.1132
参考库存:219532
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
4,000:¥0.41471
参考库存:1416939
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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