FD800R17KE3_B2原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1700 V
在25 C的连续集电极电流	1200 A
封装 / 箱体	IHM130
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	140 mm
宽度	130 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	2
子类别	IGBTs
零件号别名	FD800R17KE3B2NOSA1 SP000100629

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STP170N8F7	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package	1:¥19.5942 10:¥16.6788 100:¥13.2888 500:¥11.6842	参考库存:9391
FDC658P	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SSOT-6 P-CH -30V	1:¥4.6104 10:¥3.8307 100:¥2.3391 1,000:¥1.808 3,000:¥1.5481	参考库存:34438
STB21N90K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5	1:¥50.6353 10:¥43.0304 100:¥37.2674 250:¥35.3464 500:¥31.7304 1,000:¥26.7358	参考库存:8815
SI4542DY	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SO8 SINGLE NCH/PCH	1:¥11.30 10:¥9.605 100:¥7.4128 500:¥6.554 1,000:¥5.1754 2,500:¥5.1754	参考库存:26687
RS1G300GNTB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET	1:¥13.3679 10:¥11.3678 100:¥9.0626 500:¥7.9891 2,500:¥6.1246 5,000:查看	参考库存:16944