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晶体管
FS20R06W1E3参考图片

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FS20R06W1E3

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库存:6,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥202.0101
202.0101
5
¥199.9422
999.711
10
¥186.337
1863.37
25
¥177.9637
4449.0925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
135 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS20R06W1E3BOMA1 SP000223651
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.69156
500:¥0.52997
3,000:¥0.32318
9,000:查看
参考库存:31480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H VL fast-switching
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:8522
晶体管
IGBT 晶体管 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4314
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:17201
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
1:¥30.4309
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
参考库存:3588
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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