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晶体管
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CSD23382F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET
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库存：12,498(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2204
122.04
250
¥1.2204
305.1
1,000
¥0.91417
914.17
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
199 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
800 mV
Qg-栅极电荷
1.04 nC
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD23382F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.4 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU520XVL
Nexperia
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:45253
A2T21S260W12NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥624.325
5:¥612.1888
10:¥591.9731
25:¥566.921
参考库存:45258
DMC964060R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:45263
DMP6250SFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.2148
参考库存:45268
PBRP113ZT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RET
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:45273

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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