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晶体管
FF600R12ME4参考图片

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FF600R12ME4

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库存:1,415(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,780.4619
1780.4619
5
¥1,737.5784
8687.892
10
¥1,694.4802
16944.802
25
¥1,670.7276
41768.19
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
995 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
4050 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF600R12ME4BOSA1 SP000635448
单位重量
345 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:130949
晶体管
MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:72711
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
4,000:¥3.0623
8,000:查看
参考库存:139273
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2946
250:¥15.4471
参考库存:20910
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.4469
10:¥11.30
25:¥9.5259
100:¥8.6784
2,000:¥5.9438
4,000:查看
参考库存:8727
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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