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BLV10

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库存：44,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥484.092
484.092
10
¥403.41
4034.1
25
¥363.069
9076.725
50
¥322.728
16136.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
950 MHz
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MG06200S-BN4MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 600V 200A Dual
100:¥647.2188
参考库存:44069
DSA700400L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥2.1922
参考库存:44074
BUK7K52-60EX
Nexperia
晶体管
MOSFET Dual N-channel 60V Mosfet
1:¥6.3054
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.2826
参考库存:44079
DGTD65T60S2PT
Diodes Incorporated
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
1:¥36.8832
10:¥31.3462
100:¥27.1991
250:¥25.8205
500:¥23.1311
参考库存:3624
DF600R12IP4DV
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
3:¥3,458.9526
6:¥3,250.4902
参考库存:44086

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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