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产品分类

晶体管
A2T21S260W12NR3参考图片

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A2T21S260W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存:45,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥624.325
624.325
5
¥612.1888
3060.944
10
¥591.9731
5919.731
25
¥566.921
14173.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.9 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935339757528
单位重量
3.809 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULES 600V
1:¥598.9678
5:¥587.9842
10:¥572.7631
25:¥561.4744
参考库存:1059
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Lvl SW
1:¥4.9946
10:¥4.294
100:¥2.9832
1,000:¥2.2148
参考库存:3921
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Medium Power
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
2,000:¥0.61472
参考库存:39853
晶体管
IGBT 晶体管 1350V/40A IGBT FSII TO-24
1:¥41.1094
10:¥34.9622
参考库存:1910
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥3.3787
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:60937
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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