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晶体管
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MMRF1314GSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314GS/CFM4///REEL 13
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数量单价合计
50
¥3,786.4492
189322.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230GS-4L-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
909 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316224178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:45227
NTMFS4C08NT1G-001
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
1,500:¥1.7402
参考库存:28454
FDC640P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.3787
10:¥2.6103
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
参考库存:34234
RN2111,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28461
RN2910FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.20792
参考库存:28466

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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