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晶体管
SISA10DN-T1-GE3参考图片

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SISA10DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:4,002(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.6444
66.444
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.3844
2192.2
3,000
¥4.3844
13153.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SISA10DN-GE3
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 105A
1:¥862.4499
5:¥846.6186
10:¥808.515
25:¥781.5419
参考库存:1901
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:74378
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
360:¥19.6733
720:¥17.6732
参考库存:5335
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -15A TO220-3
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
参考库存:3122
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
800:¥7.9891
参考库存:4334
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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