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晶体管
FS75R12KT3参考图片

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FS75R12KT3

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库存:1,901(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥862.4499
862.4499
5
¥846.6186
4233.093
10
¥808.515
8085.15
25
¥781.5419
19538.5475
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KT3BOSA1 SP000100441
单位重量
180 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.8368
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.9777
3,000:¥5.9777
参考库存:16637
晶体管
JFET N-Ch Depletion JFET 25Vds 25Vdg 100mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:1364
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥25.199
10:¥21.357
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:2361
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
2,500:¥0.77631
10,000:¥0.72998
参考库存:29338
晶体管
MOSFET N-CH 80V 12.9 mOhm Standard MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.825
参考库存:15635
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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