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晶体管
DMN53D0L-13参考图片

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DMN53D0L-13

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库存:30,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.76049
76.049
1,000
¥0.52206
522.06
10,000
¥0.34578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 3.9 mo FET
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.7574
参考库存:48903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150V NPN LED Driver HFE 100 VCE 0.25V
2,500:¥1.5594
参考库存:48908
晶体管
JFET N-Ch 40V 40Vgs JFET ENGINEERING HOLD
2,000:¥2.712
10,000:¥2.6103
24,000:¥2.5312
参考库存:48913
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
500:¥15.0629
1,000:¥12.6786
2,500:¥12.0684
5,000:¥11.6051
参考库存:48918
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
250:¥847.5452
参考库存:48923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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