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晶体管
APT150GN60JDQ4参考图片

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APT150GN60JDQ4

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥270.3977
270.3977
5
¥258.2615
1291.3075
10
¥250.1933
2501.933
25
¥229.9098
5747.745
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
536 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRF1405ZS-7TRL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 55 / 60
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
800:¥12.7577
2,400:查看
参考库存:7974
DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,000:¥2.2148
参考库存:21426
IRF250P225
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:9078
CG2H80030D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:4730
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5572

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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