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晶体管
SIHFU9220-GE3参考图片

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SIHFU9220-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
  • 数据手册下载
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库存：16,127(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.9777
59.777
100
¥4.5878
458.78
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.1 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.3 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP45N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:13522
MX2N4392
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥430.7673
参考库存:58261
STD10P10F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥2.7685
参考库存:32479
BSM30GD60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 30A 3-PHASE
10:¥584.7524
30:¥565.2373
100:¥526.2749
参考库存:58268
STF18NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:13536

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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    4小时快速发货

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