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晶体管
IPP600N25N3 G参考图片

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IPP600N25N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：9,746(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.1362
6068.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP600N25N3GXKSA1 IPP6N25N3GXK SP000677832
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
参考库存:2811
J211
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel
1:¥22.5887
10:¥18.1365
100:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:45245
FF1200R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 1200A DUAL
1:¥7,771.7558
参考库存:45250
0910-60M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:45255
PMN27UPH
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
24,000:¥0.88366
45,000:¥0.85315
99,000:¥0.81473
参考库存:45260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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