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晶体管
IPB80N04S4-04参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPB80N04S4-04

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
  • 数据手册下载
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库存:7,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5314
653.14
500
¥5.7743
2887.15
1,000
¥4.5539
4553.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPB80N04S404ATMA1 IPB8N4S44XT SP000646178
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥16.3624
250:¥15.5262
参考库存:7561
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
1,000:¥4.4296
4,000:¥4.4296
参考库存:12898
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:43950
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:34567
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:27414
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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