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晶体管
NVD5C446NT4G参考图片

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NVD5C446NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V SL DPAK
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库存:15,318(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
2,500
¥3.5821
8955.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
101 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
101 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5C446N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
62 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,018.5142
5:¥998.5358
10:¥951.9685
25:¥932.0692
参考库存:4710
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥111.5762
10:¥102.5814
25:¥98.3552
100:¥86.671
参考库存:11567
晶体管
IGBT 晶体管 600V proliferation PFC home application
1:¥24.5097
10:¥20.8259
100:¥18.0574
250:¥17.1308
参考库存:7894
晶体管
IGBT 模块
1:¥414.3936
5:¥405.105
10:¥389.2737
25:¥376.742
参考库存:4851
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥15.142
10:¥12.5995
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0625
参考库存:19678
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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