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晶体管
RW1E015RPT2R参考图片

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RW1E015RPT2R

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
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库存:43,374(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2035
22.035
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72998
729.98
8,000
¥0.49155
3932.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.65 mm
长度
1.7 mm
产品
MOSFET
系列
RW1E015RP
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.2 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
RW1E015RP
单位重量
3 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:40153
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW NPN Transistor
3,000:¥0.23843
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.15368
99,000:¥0.12317
参考库存:40158
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:40163
晶体管
MOSFET N-Channel 100-V D-S
2,500:¥7.7631
参考库存:40168
晶体管
MOSFET 20V P channel Mosfet with schottky diode
1:¥5.6048
10:¥4.6895
100:¥3.5369
500:¥2.599
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:40173
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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