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晶体管
SIS435DNT-T1-GE3参考图片

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SIS435DNT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥4.9042
49.042
100
¥3.729
372.9
500
¥3.0736
1536.8
3,000
¥3.0736
9220.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
40 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC20SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:6432
FJN3301RTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Si Transistor Epitaxial
暂无价格
参考库存:44926
SIHH27N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥53.788
10:¥48.4883
25:¥44.183
100:¥39.8777
3,000:¥28.0466
参考库存:31424
BCY58-VIII
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:11251
HAT2165H-EL-E
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥21.6734
10:¥19.5151
25:¥17.4472
100:¥15.6731
2,500:¥9.379
5,000:查看
参考库存:7523

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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