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晶体管
DMC3025LSD-13参考图片

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DMC3025LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.5 A, 4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms, 38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC, 10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC3025
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.8 ns, 12.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.2 ns, 4.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.6 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns, 6.8 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:32951
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥15.9104
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥7.9891
参考库存:5663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:17595
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥1.1526
10:¥1.04525
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:167272
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Sil PNP Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
2,000:¥1.03734
参考库存:19104
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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