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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	140
最大工作频率	260 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 500 mA
峰值直流集电极电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB513ZM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 60 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB513ZM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM9409CS RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V P channel Mosfet	1:¥5.989 10:¥5.2206 100:¥4.0228 500:¥2.9832 2,500:¥2.1018 5,000:查看	参考库存:51469
DRA5124T0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm	3,000:¥0.50737 9,000:¥0.45313 24,000:¥0.42262	参考库存:51474
IRLR014TR	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF	2,000:¥10.3734 4,000:¥9.9892	参考库存:51479
IGW03N120H2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A	1:¥23.278 10:¥19.7524 100:¥17.1308 250:¥16.2155 500:¥14.5996	参考库存:51484
RJH60M0DPQ-E0#T2	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT	1:¥25.8996 10:¥23.052 25:¥20.8259 50:¥19.8993	参考库存:51489