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晶体管
SUP90N06-6M0P-E3参考图片

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SUP90N06-6M0P-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V
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库存：24,909(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.3626
203.626
100
¥16.7466
1674.66
250
¥16.2155
4053.875
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
272 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
58 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FMG2AT148
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA SMT5
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:13844
APT65GP60B2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥153.5218
10:¥139.5437
25:¥129.0121
50:¥122.0965
参考库存:2901
MRF586
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥80.682
10:¥67.235
25:¥60.5454
50:¥53.788
参考库存:3533
2N3705
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 800mA BULK HFE/150
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
参考库存:10510
MJL21195G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 16A 250V FG
1:¥34.578
10:¥29.4252
100:¥25.5154
250:¥24.2046
参考库存:3847

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    明码标价节省时间成本

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