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产品分类

晶体管
TGF3015-SM参考图片

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TGF3015-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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库存:4,005(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
557 mA
输出功率
11 W
Pd-功率耗散
15.3 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-EP-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
0.03 GHz to 3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
TGF3015-SM-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1120419
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:4890
晶体管
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
1,500:¥1.6724
参考库存:8732
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HEX UNBUFFED INVERTR
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
参考库存:15744
晶体管
MOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge
1:¥108.1184
10:¥99.4287
25:¥95.2816
100:¥83.9816
参考库存:3461
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:16210
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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