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晶体管
BD13610STU参考图片

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BD13610STU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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1
¥3.616
3.616
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD136
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-ch 60V 3.0 mOhm MOSFET
5,000:¥8.6784
10,000:¥8.3733
参考库存:50513
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
2,500:¥28.2048
参考库存:50518
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:50523
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
参考库存:20318
晶体管
IGBT 模块
10:¥992.2304
30:¥971.3367
参考库存:50530
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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