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晶体管
BC 847B E6433参考图片

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BC 847B E6433

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1.1526
1.1526
10
¥1.11418
11.1418
100
¥0.39211
39.211
1,000
¥0.26103
261.03
10,000
¥0.17628
1762.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC 847B
直流电流增益 hFE 最大值
450
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
BC847BE6433HTMA1 BC847BE6433XT SP000010576
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STBB3NJR
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥10.7576
参考库存:43238
PXAC192908FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:43243
SQD40N10-25-T4_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
2,500:¥4.6443
5,000:¥4.407
10,000:¥4.2375
参考库存:43248
BSM50GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
10:¥1,054.9341
30:¥1,032.8087
参考库存:43253
P1086-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel Reel of 1000
1,000:¥11.30
2,000:¥10.6785
5,000:¥10.2943
参考库存:43258

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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