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晶体管
STAC1011-350参考图片

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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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库存:3,332(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
3,000:¥0.13786
参考库存:404286
晶体管
IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
800:¥8.1473
参考库存:7078
晶体管
MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
8,000:¥0.49946
24,000:查看
参考库存:67685
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥4.6895
10:¥3.8081
100:¥2.8928
500:¥2.3843
3,000:¥2.3843
参考库存:24427
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40A 250V 250W NPN
1:¥90.7503
10:¥83.4505
20:¥79.9927
100:¥70.4668
参考库存:3879
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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