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晶体管
IRLR8729TRPBF参考图片

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IRLR8729TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC
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库存：39,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,000
¥1.3334
2666.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
58 A
Rds On-漏源导通电阻
11.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
91 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP001569082
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMP6452
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 3.5Vgs 10Vds 20mA
111:¥59.0877
500:¥53.8671
1,000:¥46.8724
参考库存:53249
JANSR2N7381
Microsemi
晶体管
MOSFET
50:¥3,490.3779
参考库存:53254
DRA2115G0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:53259
SMPJ204
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:53264
IPP80N06S208AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:53269

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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