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晶体管
A2T21H410-24SR6参考图片

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A2T21H410-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:51,953(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,282.0754
192311.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935312756128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V
1:¥5.8421
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
2,500:¥2.1131
参考库存:14400
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:2762
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88A DUAL BRT TR
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.69947
参考库存:32734
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
参考库存:10976
晶体管
MOSFET N-channel 525 V 6.3 A PAK D
1:¥10.8367
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3167
参考库存:7228
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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