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晶体管
VS-GB100YG120NT参考图片

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VS-GB100YG120NT

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10
¥1,087.8962
10878.962
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
4-Pack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
127 A
栅极—射极漏泄电流
440 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
ECONO3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V N-Channel QFET
1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
参考库存:6369
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
1:¥417.7836
5:¥408.4046
10:¥392.4942
25:¥379.8156
参考库存:4061
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥126.2436
10:¥114.7967
25:¥106.1974
50:¥100.4344
参考库存:4903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:228610
晶体管
MOSFET 600V, 47A, SuperFET
1:¥85.9026
10:¥78.987
25:¥75.6874
100:¥66.6926
参考库存:5322
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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