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晶体管
BSS123NH6433XTMA1参考图片

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BSS123NH6433XTMA1

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库存:377,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.8758
18.758
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.62263
622.63
10,000
¥0.42262
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
900 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS123
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
410 mS
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
零件号别名
BSS123N BSS123NH6433XT H6433 SP000939268
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.616
10:¥2.5425
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
2,000:¥0.7684
参考库存:32841
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4678
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 20V 0.3A 6PIN
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:14170
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.616
10:¥1.7854
100:¥1.2204
500:¥0.99892
10,000:¥0.5763
参考库存:51507
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.3789
10:¥6.0229
100:¥4.6217
500:¥3.9776
参考库存:19234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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