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晶体管
2DB1132R-13参考图片

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2DB1132R-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 125 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
180 at - 100 mA, - 3 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K
暂无价格
参考库存:49117
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:153438
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥167.5903
5:¥160.0532
10:¥155.0586
25:¥142.4591
参考库存:49124
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥2.0001
500:¥1.6498
3,000:¥1.1639
6,000:查看
参考库存:28360
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:120487
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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