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晶体管
IPB120N04S4-01参考图片

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IPB120N04S4-01

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
  • 数据手册下载
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库存:12,666(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥15.6731
156.731
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9836
5491.8
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPB120N04S401ATMA1 IPB12N4S41XT SP000705700
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
1:¥14.2154
10:¥12.8368
100:¥10.3734
500:¥8.0682
参考库存:3577
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.4882
10:¥41.5727
100:¥37.8776
250:¥34.1938
500:¥27.6624
参考库存:3994
晶体管
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
3,000:¥8.3733
参考库存:148476
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:3583
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:4375
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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