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晶体管
SBC847BDW1T1G参考图片

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SBC847BDW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 45V
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库存:162,893(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1357
21.357
100
¥0.91417
91.417
1,000
¥0.70738
707.38
3,000
¥0.53788
1613.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC847BDW1
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 2 mA, 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.1528
参考库存:21177
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
参考库存:26629
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z10
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
参考库存:9856
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:150953
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.0114
参考库存:27900
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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