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晶体管

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MRF6S20010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
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数量单价合计
1
¥297.4499
297.4499
5
¥282.387
1411.935
10
¥277.5506
2775.506
25
¥251.5719
6289.2975
500
¥214.6096
107304.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRF6S20010N
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935313769528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCX1147ATA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:6109
DDA143TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:21181
IPA60R460CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 9.1A TO220FP-3
1:¥8.4524
10:¥7.2772
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
参考库存:5528
IPB034N03L G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:10495
BUTW92
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr High Spd
1:¥56.6356
10:¥51.1777
25:¥48.7934
100:¥42.3411
参考库存:1952

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    4小时快速发货

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