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晶体管
IHW30N110R3FKSA1参考图片

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IHW30N110R3FKSA1

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数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510
单位重量
5.400 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3499L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥141.0805
250:¥129.4754
500:¥123.2491
参考库存:58387
JANTX2N3637L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥175.2743
250:¥160.8216
500:¥153.0698
参考库存:58392
ALD910018SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:58397
JAN2N5153L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:58402
STP120N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:13670

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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