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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-416-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN2107CT
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	- 6 V
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N6987/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥394.1892 200:¥372.1316	参考库存:56385
2N930/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥55.483 129:¥55.483 200:¥51.0195 500:¥46.4882 1,000:¥40.4992	参考库存:56390
JAN2N2369AUA	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	100:¥284.0029 250:¥265.0189	参考库存:56395
ALD310700PCL	Advanced Linear Devices	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair	50:¥36.1939 100:¥34.4989 250:¥30.1936 500:¥29.3574	参考库存:56400
HN4B01JE(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50V	暂无价格	参考库存:56405