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晶体管
ZXTN07012EFFTA参考图片

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ZXTN07012EFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
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库存:28,390(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
220 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN07012
直流电流增益 hFE 最大值
500
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 2 A, 2 V, 330 at 4.5 A, 2 V, 140 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
2,500:¥5.8421
参考库存:20247
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3
1:¥8.2942
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
5,000:¥3.8081
参考库存:14009
晶体管
MOSFET 20V 8.0A 3.5W
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:27941
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
1:¥6.5314
10:¥5.5596
100:¥4.2714
500:¥3.7855
2,500:¥2.6442
10,000:查看
参考库存:27563
晶体管
MOSFET 100V NChannel UniFET
1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
2,500:¥5.7291
5,000:查看
参考库存:7210
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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