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APTGLQ80HR120CT3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：42,142(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥897.4912
897.4912
5
¥867.2976
4336.488
10
¥838.8668
8388.668
25
¥809.5094
20237.735
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual Common Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV, 600 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V, 1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A, 100 A
栅极—射极漏泄电流
240 nA, 600 nA
Pd-功率耗散
500 W, 250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥310.5918
250:¥304.1282
参考库存:38257
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:38262
STU5N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:3657
TK40J60U(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08
暂无价格
参考库存:38269
PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:38274

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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